低温（磁）介电测量
一、 技术指标
测量范围：1.8 K-400 K; 0 T -13 T
控温精度：0.005 K
测量频率：20 Hz-2 MHz
测量方法：磁场面内、磁场面外、磁场任意角度
测试精度：0.1 fF（一般LCR表), 最高可实现8位的分辨率(AH-2700)
本产品提供包括样品杆、射频同轴线材，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的信噪比。
二、产品实物
图一分别展示了适配PPMS的通用介电样品杆，可插拔样品托设计极大的提高了样品的测量效率。
图1 低温（磁）介电样品杆
三、实例
3.1低温，多频段介电测量
图2 低温多频介电常数随磁场变化
图3 低温介电常数随磁场变化
图4 低温介电常数随频率的变化
3.2 BaFe12O19
在2 K下通过本样品杆测试BaFe12O19单晶样品在c方向的介电常数随磁场的变化，如图4所示，可以得到优于0.1 fF的数据，这也显示了本产品优异的性能。
图5 BaFe12O19介电常数随磁场变化