电场下的磁矩测量
一、 技术指标
测量范围：1.8 K-400 K; 0 T -13 T
测量方法：施加电场、磁场面内、磁场面外、磁场任意角度
测试精度：10^-7 emu
最大施加电压：1500 V
本产品可在OxfordPT®、Quantum Design MPMS®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的测量精度。此外，可以有多种测量方式，可以实现磁场任意角度下的测量。
二、产品实物
图1 低温（磁）介电样品杆
三、实例
3.1 铁氧体在电场下的磁矩测量
图2 铁氧体在100 K的M-E曲线
图3 铁氧体在100 K下的电场控磁
图4 铁氧体在200 K的M-E曲线
图5 铁氧体在200 K的电场控磁
3.2 有机磁体在电场下的磁矩测量
图6 100 Oe 偏置场下，200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM
图7 1000 Oe 偏置场下，200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM
图8 图6及图7两图M变化率（ΔM/M）随温度变化